研发中心，位于瑞士兰兹伯格。技术研发团队，由来自欧洲及国内顶级IGBT、SiC设计和制造各个环节的技术专家，在功率半导体领域拥有优秀业绩和几十年实践经验的行业领导者组成。
制造中心，位于中国浙江省嘉善县。制造中心的一期项目占地2.2万平米，二期项目占地5万平米，规划建设多条具有国际一流水平的全自动智能IGBT、SiC生产线，以及国内技术中心。
赛晶半导体拥有国内稀缺、国际领先的自主芯片技术。芯片产品采用赛晶精细沟槽栅技术、微沟槽栅技术以及碳化硅(SiC)技术，IGBTc产品涵盖中压1050V、1200V、1700V；SiC产品电压范围涵盖650V、1200V、1700V和2000V;另外，低压MOS拥有丰富的产品系列，包括ComplementaryN+P、Dual NMOS、SGT LVMOS、SJ MOS和Trench LVMOS。
